IDT 是射频电路研发创新的领导者,也是领先通信系统提供商所信赖的供应商。我们使用 Smart Silicon™ 方法将最佳工艺技术与我们独特的电路级创新相结合,打造差异化 RF 产品组合。

  • 电路级创新——提高系统级性能和可重复性、降低功耗、提高可靠性。
  • Smart Silicon™ 创新技术——独特的产品解决方案,使用最佳工艺技术在 SOI、GaAS、GaN 或 SiGe 中实现高性能
  • 值得信赖的合作伙伴——为全球领先的通信系统供应商提供技术,在全球网络中完成部署
  • 成熟的产品组合——丰富的产品组合,业经验证的可靠性,涵盖简单的单功能组件乃至复杂的 RF 子系统

业界领先的 RF 创新

Glitch-Free™ 技术:IDT 的数字步进衰减器 (DSA) 几乎消除了标准 DSA 在 MSB 衰减状态转换过程中发生的瞬时过冲。采用 Glitch-Free 技术,ADC 的放大器损坏和信息损失得以避免。

FlatNoise™ 技术:增益在下降时,IDT 的可变增益放大器 (VGA) 噪声系数在关键区域基本持平。通过增强信噪比 (SNR),可显著降低射频电工程师的设计限制。

Zero-Distortion™ 技术:IDT 的 RF 放大器RF 混频器通过降低本底噪声和三阶互调失真,改善 SNR。这对于拥挤的频谱环境来说至关重要,因为这样可加强服务质量 (QoS) 并释放未利用的频谱。

K|Z| 恒阻抗技术:IDT 的 RF 开关在 RF 端口间切换时能保持近乎恒定的阻抗。通过控制切换过程中的阻抗,可以最大程度地降低电压驻波比 (VSWR) 瞬态。这就提升了开关的可靠性,降低下游组件承受的电压应力,并改善系统总体性能。

KLIN 恒定线性度技术: IDT 的可变增益放大器在调整增益时保持恒定的高线性度。随着增益降低,线性度 (OIP3) 会在关键域内保持恒定不变。这可防止随着增益降低而影响互调失真。

关于 IDT 的 RF 解决方案

IDT 提供高性能且功能全面的射频 (RF) 产品,帮助应对日益拥挤的无线电频谱产生的无用干扰。如今,更高的数据速率要求设备达到更佳的无线电信噪比,这就需要采用 IDT 具有更高线性度的 RF 器件。IDT 的专利 RF 解决方案提供独特的技术创新,可满足各种应用不断发展的需求,其中包括蜂窝 4G 基站、通信系统、微波 (RF/IF)、CATV 测试测量和工业应用。

技术资料

文档标题 他の言語 文档类型 文档格式 文件大小
其它
RF Amplifiers with Zero-Distortion? Technology Overview PDF 1.10 MB
RF Switches Family Overview ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 695 KB
RF Products Family ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 533 KB
Digital Step Attenuators Product Overview ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 185 KB
RF Mixer Family Overview ( 简体中文) English, 日本語 Overview PDF 795 KB
Voltage Variable Attenuators Overview Overview PDF 95 KB
IDT Products for Wired Broadband Applications Application Briefs PDF 686 KB
IDT Products for Radio Applications 日本語 Product Brief PDF 2.34 MB