异步 SRAM

IDT 异步 SRAM 采用高性能、高可靠性 CMOS 技术打造而成。 这种与创新的电路设计技术相结合,可为高速异步 SRAM 内存需求提供经济高效的卓越解决方案。 使用了全静态异步电路,运行时无需时钟或刷新。 IDT 采用行业标准的封装选项,利用符合 RoHS 6/6 标准(绿色)的封装提供异步 SRAM。

Download: IDT SRAM Products Package and Ordering Information (PDF)
Download: Military and Aerospace Product Overview (PDF)
Download: Multi-port Memory Products Overview (PDF)
Download: Worldclass SRAM Products (PDF)

关于异步 SRAM (Async SRAM)
异步 SRAM(又名异步静态随机存取存储器)是一种使用静态方法存储数据的存储器,只要器件有电源供应,数据即可保持不变。 这种存储器与需要不断刷新存储器中存储数据的 DRAM(动态 RAM)有所不同。

由于 Async SRAM 以静态方式存储数据,因此相比 DRAM 而言速度更快且功耗更低。 另一方面,SRAM 采用更复杂的电路拓扑构建而成,因此相比 DRAM 而言密度更低且生产成本更高。 因此,DRAM 通常被用作个人电脑主存储器,而异步 SRAM 则通常被用于较小的存储器应用,例如 CPU 高速缓冲存储器、硬盘驱动器缓冲器、网络设备、消费电子产品和设备。 同步 SRAM 使用时钟进行读写,而异步 SRAM 则通常由异步信号进行控制。

选择异步 SRAM 的关键参数包括:

  • 密度:这是指异步 SRAM 将保留在其存储器中的位数。 IDT 可提供最高达 4 MB 的规格。
  • 总线宽度:用于读取和写入存储器的“通道”数量。 IDT 可提供 8 位和 16 位两种选择。
  • 核心电压:向 Async SRAM 供电的电源电压。 这通常由系统中的电源轨决定,并往往会对读取和写入存储器所需的 I/O 电压产生影响。 IDT 可提供标准的 5 V 和 3.3 V 两种选择。
  • I/O 电压:用于数据输入和输出的电压,在某些器件中该电压与核心电压无关。
  • 存取时间:读取或写入存储器所需的时间。 理想情况下,异步 SRAM 的存取时间应应足够快,从而与 CPU 同步。 如果不同步,CPU 将浪费一定数量的时钟周期,从而导致速度变慢。 IDT 可提供低至 10 纳秒的存取时间。