异步低功率双端口 RAM

IDT 是市场领先的双端口 RAM 供应商,可将系统设计经验与高性能电路及双端口 SRAM 技术专业经验加以有效结合,打造性能优异的同步和异步双端口 RAM 产品。

异步低功率双端口是一种带有非时钟式输入和输出并用于数据、地址和控制功能的内存,由 1.8V 的低核心电压供电,可实现超低功耗。

优点:

  • 真正能够同时从同一个内存位置读取数据的双端口内存单元
  • 1.8V 核心电压(显著降低功耗)
  • ADM(地址/数据多路复用接口)
  • 标准 SRAM 接口
  • 构造: 4K x 16 (64K) / 8K x 16 (128K) / 16K x 16 (256K)
  • 低运行电流和待机电流: 15 mA(典型值) 工作电流/ 2μA(典型值) 待机电流
  • 多种电压配置(1.8V、2.5V 和 3.0V)
  • 通用引脚和封装
  • 电源隔离功能,协助管理系统电源
  • 输入读取和输出驱动寄存器
  • 小封装(6x6x1mm、0.5mm 间距 pBGA100 / 5x5x1mm、0.5mm 间距 fpBGA81)
  • 降低设计复杂性
  • 更短上市时间

我们的低功率双端口内存系列所具有的创新功能和超快速度可为系统级设计提供卓越的价值和性能,是业内竞相效仿的行业标准。 IDT 双端口内存具有同步存取功能,可为设计人员提供大量的仲裁技术,以防止冲突和系统等待状态。

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