异步双端口 RAM

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IDT 是市场领先的双端口 RAM 供应商,可将系统设计经验与高性能电路及双端口 SRAM 技术专业经验加以有效结合,打造性能优异的异步双端口 RAM 产品。

IDT 的异步双端口 RAM 器件是一种带有非时钟式输入和输出并用于数据、地址和控制功能的存储器器件。 这些双端口 RAM 可以响应地址和控制引脚的变化而不需要时钟或计数器,同时还允许同时从两个总线访问一个静态 SRAM 存储器位置。 大多数异步双端口 RAM 还具有仲裁逻辑。

  • 双端口 RAM 可增加带宽 (~2x SRAM)
  • 双端口 RAM 可降低设计复杂性
  • 与替代解决方案相比,双端口 RAM 可缩短上市时间

IDT 的双端口 RAM 采用 2.5V 至 5V I/O 电压、行业标准的绿色封装(符合 6/6 RoHS 标准)和标准封装,以及商业、工业和军事级别。 IDT 不断致力于降低 SRAM 双端口内存解决方案的高性能成本。 我们将继续保持半导体行业中双端口异步存储器的领先供应商地位。

Download: IDT Multi-Port Products Package and Ordering Information (PDF)
Download: Military and Aerospace Product Overview (PDF)
Download: Multi-port Memory Products Overview (PDF)
Download: IDT Specialty Memory Products Overview (PDF)

关于双端口存储器(双端口 RAM)
双端口存储器(双端口 RAM)是一种随机存取存储器,可支持在存储器内的不同地址同时(或几乎同时)发生的多个读取或写入操作。 该功能的主要优势在于性能方面,因为单端口 RAM 在每个时钟周期只允许读取/写入一个存储器单元,而双端口存储器在每个周期允许读取/写入两个存储器单元。 

双端口存储器的晶体管级架构使用八晶体管基本存储单元,而单端口 RAM 则使用一个六晶体管基本存储单元。 虽然这通常会增加管芯尺寸,但 IDT 的解决方案将得到优化,并采用非常紧凑的封装。

选择双端口 RAM 的关键参数包括:

  • 核心电压:向双端口 RAM 供电的电源电压。 这通常由系统中的电源轨决定。
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  • I/O 电压:用于数据输入和输出的电压,在某些器件中该电压与核心电压无关。
     
  • 总线宽度:用于读取和写入双端口 RAM 的“通道”数量。 IDT 提供所有常用配置。
     
  • 存储器密度:这是指双端口 RAM 将保留在其存储器中的位数。 IDT 可提供最高达 18 MB 的规格。
     
  • 存取时间: 查找单条信息并使其可供计算机处理的时间。 理想情况下,双端口存储器的存取时间应足够快,从而与 CPU 同步。 如果不同步,CPU 将浪费一定数量的时钟周期,从而导致速度变慢。 IDT 可提供低至 8 纳秒的存取时间。