存储多路复用器

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IDT 的多路复用器专门针对存储器密集型应用而优化。在断电备份情形中,NVDIMM 模块使用 IDT 多路复用器将来自 DRAM 的数据引导至闪存。SSD 模块使用 IDT 多路复用器来提高闪存密度。这些产品还可适用于要求在小占用空间中实现高性能、低功耗以及高易用性的双向信号功能的其他应用。

关于 NVDIMM 存储器的多路复用器应用

在企业级服务器市场上,基于 DDR4 的高速 RDIMM 和 LRDIMM 存储器模块扮演着不可或缺的角色;但是,在意外停电期间,在这些 DRAM 中当前存储的信息可能会丢失。对于某些服务器应用,NVDIMM 通过在断电前电源可用的最后数毫秒秒内将信息从 DRAM 备份到闪存,增加了额外的安全层。在正常的高速运转期间,IDT 的 1:2 多路复用器将 DRAM 地址和数据引导至 DIMM 的边缘连接器,以供服务器的主机控制器访问。在备份和还原操作中,相同的多路复用器引导 DRAM 地址与数据到本地闪存子系统,从而在断电期间,可将易失性 DRAM 数据保存在闪存中。

关于 SSD 存储器的多路复用器应用

迄今为止,SSD 的容量很大程度上受到 SSD 控制器 ASIC 的引脚数限制。在不影响速度的前提下添加更多闪存将需要从控制器额外引进更多的地址和数据线路,以控制额外的闪存组。有时,添加额外的 ASIC 引脚数会变得不可行或太昂贵。IDT 的 1:4 多路复用器使 ASIC 引脚数量能够按大约一比四的比率增长。即,对于每四组额外的闪存设备,只需向控制器额外添加一个寻址/数据端口。这使得在相同 ASIC 引脚数量下的闪存容量能够提高 4 倍。如果 SSD 的外形尺寸提供额外空间来容纳额外的闪存容量,IDT 建议在您的解决方案中采用多个 1:4 多路复用器。